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多个光载波同时在一根光纤中传送；充分利用了光纤的带宽资源 实现的是对信号透明传送，不同波长可以承载不同不同速率、不同数据格式的信号 需要较多的光器件，增加失效和故障概率 管理和维护复杂
光刻胶的选择 光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下
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“计算光刻”是利用计算机建模、仿真和数据分析等手段,来预测、校正、优化和验证光刻工艺在一系列图 案、工艺和系统条件下的成像性能。 计算光刻通常包括光学邻近效应修正(OPC)、光源-掩膜协同优化技术(S
上网访问网站或其他互联网服务时,都需要在全球网络中完成对应域名的逐级查询。完整的域名解析由根域名解析、顶级域名解析、权威解析和递归解析四个层次构成
按照化学结构分类;光刻胶可以分为光聚合型,光分解型,光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单 体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物;光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物
随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据
扫描狭缝是步进扫描光刻机用于控制曝光剂量的重要单元。随着光刻工艺节点减小到90 nm及以下,光刻照明分系统对刀口半影宽度的测量精度和重复性提出了更高要求。基于此,提出一种基于光瞳像的光刻机扫描狭缝刀口
光刻蚀是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,刻蚀过
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