王光伟,茹国平,屈新萍,李炳宗 (复旦大学微电子学系,上海 200433)摘要:采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜。用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应。利用室温I-V法研究了钴镍与多晶锗硅的接触特性,发现能形成比较理想的肖特基接触。拟合I-V曲线得到接触参数,两样品的表观势垒高度都在0.56~0.59eV之间。实验结果表明,300-600°C退火对肖特基势垒高度没有显著影响。 关键词:离子束溅射;多晶锗硅;热扩散;固相反应;肖特基接触特性 中图分类号:TN386 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2004)11