1 引言 随着无线通信技术的小断发展,系统要求更高的集成度,更强的功能以及更低的功耗。同时,CMOS技术已经发展到深亚微米水平,使得CMOS器件的高频特性得到进一步改善,已经能与锗硅和砷化钾器件相媲美。另外,CMOS器件在功耗上占有优势,因此深亚微米的CMOS技术在无线通信体系中很有应用潜力。在射频接收机中,低噪声放大器(LNA)占有重要位置,他在放大输入的微弱信号的同时抑制伴随的噪声。因此,低噪声系数与高增益是LNA的两个重要指标,当然这两个指标还要与功耗、线性度、输入输出匹配及小工作电流时的无条件稳定性相互折衷。 常见的CMOS低噪声放大器有差分输入(superhete-rodyne)