如果硅是沉积在不定形的物质上,那么就没有底下的结构能调整晶体的生长。最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构,它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处理。多晶的粒子boundaries就好像lattice defects,它能为漏电流提供秘密通道。因此,PN结通常不是由多晶造的。多晶通常用来生产self-aligned MOS晶体管的gate电极,因为,不像铝,它能承受退火source/drain植入所需的高温。另外,由于磷掺杂的多晶能固定离子杂质,多晶的使用能更好的控制MOS的阈值电压(节 4.2.2)适当掺杂的多晶制作的非常窄的电阻比扩散器件有更少的寄生。重掺杂的多晶