本设计方案描述了上一个方案的改进(参考文献1)。如图1中电路使用普通的SPST按键开关S1代替原设计所需的SPDT开关。使用隔膜开关极大的简化了设备的工业化设计,并提高了工效。此外,电路通过未激励开关消除电流的方法,从而略微减少了现有模式中的电流消耗。 备用模式中,MOSFET Q1仍然关闭,消耗电池少于1 μA的漏电流。按下开关S1,通过二极管D1将门极拉到地,使Q1打开。电压稳压器IC1开启,为微处理器IC2供能。微处理器启动,并将P1.1输出端口置高。打开晶体管Q2,锁存系统能量到允许S1断开。与此同时,电阻R3上拉微处理器输入端口P1.2到Vcc。按下开关几秒钟,通过二极管D2使P