周守利,崇英哲,黄永清,任晓敏(北京邮电大学,北京 100876)摘要:基区重掺杂使HBT突变结界面势垒形状及高度发生了扰动,这种扰动对电流输运特性有重要的影响。本文基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变InP/InGaAs HBT中的电流传输特性,并同实验测试数据进行了比较。结果表明:为了精确地描述电流传输特性,基区重掺杂情况下,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化。 关键词: HBT;热场发射扩散;重掺杂效应 中图分类号:TN305.3 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)03-0020-04 1 引言 由于InP/InGaAs材料系的固有特性,采