当模拟芯片设计师在其器件中采用绝 缘体上硅(SOI)衬底时,常常是为了扩充这些器件的高速性能。当您在位于(通常是)硅氧化物的某一深层之上的硅层中,而不是直接在晶圆的块硅上制造硅电路时,就可以减少或去除许多寄生元件,这些寄生元件是后一工艺的必然结果。凭借其面向运算放大器的VIP50工艺,NS正在另一个领域中利用上述好处,即采用SOI结构来制造精密放大器。该公司对“精密”一词的经验型定义是:在规定温度范围内的失调电压低于1mV。VIP50具有互补的4GHz PNP和NPN晶体管;一条直达SOI晶圆的SiO2层的沟道对每个有源器件都进行了完全的电绝缘。除了大幅度地降低噪声和串扰之外,该结构还除去了