随着半导体制造商向65纳米技术转移并展望更小节点,严峻的测试挑战也开始浮出水面。现在,工艺开发工程师们必须放弃由硅、二氧化硅、多晶硅和铝材料构成的良性世界,而将自己置于由硅锗(SiGe)、绝缘体上硅(SOI)、亚硝酸铪(HfNO2)、金属栅、低k和铜材料构成的充满挑战的世界中。这些新材料对工艺和器件特性提出了新的测试要求,其中一些关键的应用包括先进的高k栅测试、晶圆上射频s参数测试、SOI基底的等温直流和射频测试,以及低至千万亿分之一安培(fA)水平的泄漏电流测试。 因此,传统的直流测试方法已经无法再为器件的性能和可靠性提供准确的模型。现在,从建模到制造整个过程都需要进行正确的RF和脉冲测试