1.技术概览: 第三代完全电介质绝缘的互补 SiGe BiCMOS 工艺 (BiCom3) 针对超高速高精度模拟集成电路而设计。上述器件的工作电压为 5V,可在广泛的温度范围内工作,其 fT 的范围为 15-20 GHz,fmax 的值则达 40-50 GHz 的范围,并最小化了集电极到基板的寄生现象。FT 的值反应出其性能比前一代互补技术要提高近三倍。 此器件建立在商用 SOI 晶圆之上。首先定义掺质浓度较大的 p 及 n 埋层。随后沉淀的是0.65um的本征外延层,再加上填入氧化物的深、浅沟槽,尽可能减小寄生现象并提高电路密度。在确定双沟道 (bipolar s