MURA110T3G的技术参数

qq_63436 10 0 PDF 2020-12-12 21:12:48

产品型号:MURA110T3G峰值反向电压VRRM(V):100最大平均正向电流IO(A):1最大全周期正向压降VF(V):0.875最大非重复浪涌电流IFSM(A):50最大反向电流IR(mA):0.050封装/温度(°C):SMA/-65~175价格/1片(套):¥1.10

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产品型号:NCP1011ST130T3G最大工作电压(V):10开关可承受电压(V)/电流(A):700 / 0.25控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):130封装/温度(°C):SOT-22

产品型号:NCV1117ST20T3G输出电压典型值(V):2输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07@0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/-40~

产品型号:MMT10B310T3G浪涌电流IPPS1(10x1000us)(A):100最大断态电压VDM(Max)(V):270最大溢出电压VBO(Max)(V):365最小保持电流IH(Min)(

产品型号:EMC3DXV5T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10K/10KR2(Ω):10K/

产品型号:BC847BDW1T3G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hF

产品型号:BAT54CXV3T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Ma

产品型号:MMSZ5V1T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:NCP1117ST33T3G输出电压典型值(V):3.300输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

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