离子注入是另一种掺杂技术,离子注入掺杂也分为两个步骤:离子注入和退火再分布。离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面,在掺杂窗口处,杂质离子被注入硅本体,在其他部位,杂质离子被硅表面的保护层屏蔽,完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。通常,离子注入的深度(平均射程)较浅且浓度较大,必须重新使它们再分布。掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。 同时,由于高能粒子的撞击,导致硅结构的晶格发生损伤。为恢复晶格损伤,在离子注入后要进行退火处理,根据注入的杂质数量不同,退火温度在450°C~950°C之间,掺杂浓度