传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区。由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高。为了可在薄的栅极氧化层不被击穿的情况下测量场效应管阈值电压,这儿提出了一种新的结构。其中多晶佳栅极限制在薄氧化区,但通过一个金属栅极产生的场感应沟道连接源区和漏区(图2)。这一器件是一个金属栅和多晶硅栅极复合晶体管。在场区表面形成的沟道只有在多晶硅栅极和金属栅极同时处于两个区的阈值电压以上时才是导通的。通过将两种栅