(中国电子科技大学光电信息学院,成都 610054)摘 要:通过SIMS对激光诱导扩散杂质浓度分布的研究,提出了一个测量扩散区只在mm量级或10mm量级范围内的杂质浓度分布的方法。首先利用光刻的方法在基片表面标识出扩散窗口,然后进行激光诱导处理。用SIMS对制成的扩散样品定量分析,通过扫描探针显微镜测量刻蚀深度,由此实现了微小扩散区掺杂浓度-深度分布的研究。关键词:激光诱导扩散,微小扩散区,二次离子质谱仪 中图分类号:TN304.07 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)07-0021-041 引言 在半导体平面工艺中,器件的许多性能指标主要由扩散工艺决定,扩散层的结深和杂