MMSZ12ET1G的技术参数

产品型号:SMBJ12AONT3G峰值反向工作电压VRWM(V):12雪崩电压VBRmin(V):13.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):15.600最大反向浪涌电流Ipp(A

产品型号:BAW56LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:NTMFS4708NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19最大漏极电流Id(on)(A):19通道极性:N封装/温度(°C):SO-8FL/-

产品型号:UC3842BD1G工作电压(V):7.6~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC8/0~70描述

产品型号:MC74VHC1G08DFT1G封装/温度(°C):SC70-5/-55~125描述:单2输入与门价格/1片(套):暂无

产品型号:BF423G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):250集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(dB):-

产品型号:MJD112G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):12

产品型号:NCP303LSN34T1G工作电压(V):0.8~10复位门限(V):3.400门限滞后(mV):170低电平复位:√(漏极开路)高电平复位:-工作电流典型值(uA):0.25~0.50封

产品型号:MC33567D-1R2G输出1典型值(V):1.818输出2典型值(V):1.515输出电流典型值(A):外接MOSFET决定,MOSFET决定极性:正压差典型值(V):0.110输入电压

根据换能器的技术参数，选取更加准确的换能器，进行超声波的流量的测量