MM3Z5V1ST1G的技术参数

产品型号:BZX84B5V1LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大功

产品型号:EMC3DXV5T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10K/10KR2(Ω):10K/

产品型号:MMBZ5V6ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20描述:表面安装双齐纳二极

产品型号:MMQA5V6T1G雪崩电压VBRmin(V):5.320雪崩电压VBRnom(V):5.600雪崩电压VBRmax(V):5.880IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):2000峰值

产品型号:NZL5V6ATT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.900@Izt(mA):1描述:双齐纳二极管,共阳封装

产品型号:MMSZ5V6T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大

产品型号:MMSZ3V0T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):3齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.150@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PM

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:1SMB90AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):90雪崩电压VBRmin(V):100IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):146最大反向浪涌电流Ipp(A):4.100最