PT5062N的技术参数

产品型号:1N6376JEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6376雪崩电压VBR(V):14.100峰值反向工作电压VRWM(V):12最大反向漏电流IR(uA):2最大反向浪涌电流IRSM(A

产品型号:1N6286AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6286A雪崩电压VBR(V):43峰值反向工作电压VRWM(V):36.800最大反向漏电流IR(uA):5最大反向浪涌电流IRSM

产品型号:NTZS3151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):0.950通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT

产品型号:NTLJS3113PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):40最大漏极电流Id(on)(A):-9.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):D

产品型号:NTB5605PT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140最大漏极电流Id(on)(A):18.500通道极性:P封装/温度(°C):D2PAK

产品型号:PT78ST105V输出电压(V):5输出电流(A):1.500输入电压最小值(V):9输入电压最大值(V):38封装/温度(°C):3SIPMODULE/-40~85描述:1.5A,5V,

产品型号:NTLJF3117PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):-4.100通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:NTA4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(°C)

产品型号:PT78ST112V输出电压(V):12输出电流(A):1.500输入电压最小值(V):16输入电压最大值(V):38封装/温度(°C):3SIPMODULE/-40~85描述:1.5A,1

产品型号:NTE4151PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360最大漏极电流Id(on)(A):0.760通道极性:P沟道封装/温度(°C):SC-8