MMSZ33T1G的技术参数

产品型号:NTHC5513T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):Chi

产品型号:SL05T1G雪崩电压VBR Min.(V):6雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):8IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA

产品型号:BCP56-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:BCP53-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:NTGS3455T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP

产品型号:SM05T1G雪崩电压VBRmin(V):6.200雪崩电压VBRnom(V):6.750雪崩电压VBRmax(V):7.300IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工作电压

产品型号:MUN5214T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装

产品型号:BAT54T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Max)(

产品型号:MUN5211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/