迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;运动得慢,迁移率小。同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下,轻参杂硅材料中,电子的迁移率为1350cm^2/(VS),而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能: 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率(电阻率的倒数)的大小。迁移率越大,电阻率越小,通过相同电流时,功耗越小,电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率,因此,功率型MOSFET通常总是采用电子作