硅直接键合技术广泛应用于压力传感器和加速度计,是一种制备密封腔的重要的工艺手段。硅-硅直接键合技术制备压力传感器具有很大的优势:成本低,应力小,性能高,可以大规模生产。压力传感器分为两种,一种是基于压阻的变化,一种是基于电容的改变。压阻式压力传感器是在密封腔上面悬空的硅层上制备压敏电阻,随着压力的变化,硅膜的应力变化,相应的压阻发生变化,键合压阻式压力传感器如图1.19所示。主要的工艺工艺步骤为:(1)衬底硅片进行腐蚀,腐蚀出要求的密封腔;(2)把衬底和另外一个硅片键合,并经过1000~1200°C的高温退火,使键合界面达到一体化;(3)把键合好的硅片进行减薄和抛光达到要求的厚度(5~25μm或