P6SMB12CAT3G的技术参数

产品型号:1SMB5925BT3齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500@Izt(mA):37.500齐纳阻抗Zzt(Ω):

产品型号:NTMD6P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):-7.800通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOI

产品型号:M25P32-VMF6G位密度:32M结构:×8扇区(BYTE):512K页(BYTE):256接口:SPI工作电压(V):2.7~3.6静态电流(uA):10时钟速率:50MHz页写/扇区

产品型号:NTF6P02T3源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):44最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-55

产品型号:PS69P12输出电压(V):-12输出电流(A):0.100输入电压最小值(V):4.500输入电压最大值(V):32封装/温度(°C):3SIPMODULE/-20~85描述:100mA

产品型号:1SMA15CAT3峰值反向工作电压VRWM(V):15雪崩电压VBRmin(V):16.700IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):24.400最大反向浪涌电流Ipp(A):

产品型号:NTMSD3P102R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/

产品型号:NTF5P03T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-

产品型号:NTMD3P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.050通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:MM3Z12VST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大