DTC114TET1的技术参数

产品型号:MMBZ33VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:MMBZ20VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):19齐纳击穿电压Vz典型值(V):20齐纳击穿电压Vz最大值(V):21@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共阳封装/温度(°

产品型号:MMBZ15VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.750@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:MMBZ27VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:BCP53T1类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250

产品型号:MMQA12VT1雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.600IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:MMQA15VT1雪崩电压VBRmin(V):14.300雪崩电压VBRnom(V):15雪崩电压VBRmax(V):15.800IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:MC1403P1输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):1.200工作电压(V):4.5~40容限:±1%温度系数(ppm/°C):10封装/温度(°C):8PDIP/0~70描述

产品型号:BCP69T1类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):1直流电流增益hFE最小值(dB):85直流电流增益hFE最大值(dB):375

产品型号:1SMB120AT3峰值反向工作电压VRWM(V):120雪崩电压VBRmin(V):133IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):193最大反向浪涌电流Ipp(A):3.100