飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出8款新型高压SuperFET:trade_mark: MOSFET器件,专为高效的高压、快速电能转换应用而设计,例如有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。 SuperFET技术通过降低RDS(ON) 和栅极电荷 (Qg) 来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt),确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET 系列也具有很高的额定重复性雪崩特性,比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为 ±30 V (比竞争器件高50%),使得Sup