MJD112 1G的技术参数

产品型号:BCP56T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:UC3843AD1G工作电压(V):10~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC14/0~70描述

产品型号:BCP68T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):85直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:MC1403P1G输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):1.200工作电压(V):4.5~40容限:±1%温度系数(ppm/°C):10封装/温度(°C):8PDIP /0~70

产品型号:MBD110DWT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):-瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600非重复峰值浪涌电流IFSM(ma

产品型号:MMBZ5236BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.120齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.880@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):

产品型号:MMBZ5239BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.640齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.560@Izt(mA):20齐纳阻抗Zzt(Ω):

产品型号:MMBT3906TT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:UC2843AD1G工作电压(V):7.6~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC14/-25~8

产品型号:BCP56-16T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值