NTD5406NG的技术参数

sky_you 3 0 PDF 2020-12-13 07:12:48

产品型号:NTD5406NG源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55~175描述:40V,70A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无

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NTD5406NT4G的技术参数

产品型号:NTD5406NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-4/-55

3 2020-12-13
NTD2955的技术参数

产品型号:NTD2955源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:P沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~15

2 2020-12-13