MM5Z20VT1G的技术参数

产品型号:MMQA12VT1雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.600IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:MMQA15VT1雪崩电压VBRmin(V):14.300雪崩电压VBRnom(V):15雪崩电压VBRmax(V):15.800IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:MMQA27VT1雪崩电压VBRmin(V):25.700雪崩电压VBRnom(V):27雪崩电压VBRmax(V):28.400IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:1SMB20CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):20雪崩电压VBRmin(V):22.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):32.400最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:MPSA20G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):4

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:NCP301LSN20T1G工作电压(V):0.8~10复位门限(V):2门限滞后(mV):100低电平复位:√(漏极开路)高电平复位:-工作电流典型值(uA):0.23~0.48封装/温度

产品型号:NCP300LSN20T1G工作电压(V):0.8~10复位门限(V):2门限滞后(mV):100低电平复位:√(推挽方式)高电平复位:-工作电流典型值(uA):0.23~0.48封装/温度

产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:BZX84C20LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):18.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):20齐纳击穿电压Vz最大值(V):21.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):55最