瑞萨科技公司今日宣布研制出一种高速度、高可靠性的MRAM(磁阻式随机存取存储器)技术,用于系统级芯片(SoC)。 瑞萨科技运用这项技术,利用130 nm(纳米)CMOS工艺制造了存储容量为1 Mb的MRAM存储器原型样品。研究表明,在1.2 V的工作电压下,有希望在143 MHz或者更高的工作频率下高速运行,而且在一千亿次重复写入试验中进行的测量证实,它的性能并没有下降。 瑞萨科技通过与三菱电气公司合作进行的研究,取得了这些成果,并且在2004年12月14日(美国时间)在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上宣布了这些成果。IEEE国际电子器件会议是在12月13 日开幕的。