400 WXA 4R7(10X9)的技术参数

产品型号:X4045P位密度:4K结构:×8接口:I2C低电平复位:-高电平复位:√工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1.

产品型号:X5325PI位密度:32K结构:×8接口:SPI低电平复位:-高电平复位:√工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/

产品型号:MMSZ4V7T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.470齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.940@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大

产品型号:BCX56-10R1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:SRDA05-4R2雪崩电压VBRmin(V):6雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):10峰值反向工作电压VRWM(V):

产品型号:LC03-6R2雪崩电压VBRmin(V):6.800雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):20000峰值反向工作电压VRW

IPA60R145CFD7是由英飞凌公司研发的芯片产品，本文深入解读了该芯片的技术参数，为工程师和研发人员提供了重要的参考资料。该芯片具有先进的技术特点和广泛的应用领域，技术参数详解包括功耗、频率、输

产品型号:1SS400T1G最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(p

产品型号:SN74ALS10AN封装/温度(°C):PDIP-14/0~70描述:三3输入与非门价格/1片(套):¥.95

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~