P6SMB18AT3G的技术参数

产品型号:MM3Z18VT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):16.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):18齐纳击穿电压Vz最大值(V):19.100@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功

产品型号:NCP1117ST18T3G输出电压典型值(V):1.800输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:NTMSD3P102R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-8/

产品型号:NTF5P03T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-223/-

产品型号:NTMD3P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.050通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:MMSZ18T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):17.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):18齐纳击穿电压Vz最大值(V):18.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):45最大功率

产品型号:NTD18N06-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 3/-

产品型号:NTP18N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):15通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55

产品型号:BCX18LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:NTD18N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 3/-55