BAS70 04LT1G的技术参数

产品型号:MMBTA56LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(

产品型号:MMBTA14LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):300直流电流增益hFE最小值(dB):20000直流电流增益hFE最大

产品型号:MMBTA92LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):300集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(

产品型号:SBC807-40LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):250直流电流增益hFE最大

产品型号:MMBV609LT1G最小反向电压VR(V):20最大二极管电容CT@V(Max)( pF):32最大二极管电容CT@VV:3正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( n

产品型号:MMBD701LT1G最小反向电压VR(V):70最大二极管电容CT@V(Max)( pF):1最大二极管电容CT@VV:20正向电压VF最大值(V):1最大反向漏电流IR (Max)( n

产品型号:MMBTA55LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(

产品型号:MMUN2113LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上标识:-封

产品型号:MMBD352LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):7平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.60/0.01A非重复峰值浪涌

产品型号:NTJD1155LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):175最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-