硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合,将两个硅抛光片(其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理,然后在室温下贴合在一起,通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应,生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体;(2)减薄,减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的SOI材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明, 亲水硅片的键合强度要比疏水硅片的大3倍以上。键合片的TEM衍射花样研究表明硅基体与顶层硅膜的晶体取向基