1.AMD Saxony制造股份有限公司,德累斯顿市D-01109,德国;2.AMD工艺研发集团,美国加利福尼亚州森尼韦尔市;3.KLA-Tencor,Migdal HaEmek 23100,以色列)概 述:由于空间成像套刻(Ovcrlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧,因此,Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较,研究了0.18μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Owrlay准确度。在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻