MM5Z5V1T1G的技术参数

产品型号:MMBZ5V6ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20描述:表面安装双齐纳二极

产品型号:NZL5V6ATT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.900@Izt(mA):1描述:双齐纳二极管,共阳封装

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:1SS400T1G最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(p

产品型号:NZQA6V2XV5T1雪崩电压VBRmin(V):5.890雪崩电压VBRnom(V):6.200雪崩电压VBRmax(V):6.510IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):500峰

产品型号:NZQA6V8XV5T1雪崩电压VBRmin(V):6.400雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.100IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1000

产品型号:NZQA6V8AXV5T1雪崩电压VBRmin(V):6.100雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.200IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值

产品型号:MSQA6V1W5T2雪崩电压VBRmin(V):6.100雪崩电压VBRnom(V):6.600雪崩电压VBRmax(V):7.200IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1000峰

产品型号:NZL5V6AXV3T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):0.240齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.320齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.600@Izt(mA):5.880齐纳阻抗Zzt(Ω

产品型号:NZL7V5AXV3T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):0.240齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.120齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.500@Izt(mA):7.880齐纳阻抗Zzt(Ω