掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程(图4.8)。它有两种工艺方法:热扩散(thermal diffusion)和离子注入(implantation),都在第十一章有详细阐述。 热扩散是在1000摄氏度左右的高温下发生的化学反应,晶圆暴露在一定掺杂元素汽态下。扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。汽态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面,形成一层薄膜。在芯片应用中,热扩散也被称为固态扩散,因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。 离子注入是一个物理反应过程。晶圆被放在离子注入机的一端,掺杂离子源(通常为气态)在另一端。在离子源一端,掺杂体原