硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路,这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到,电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺。IBM采用0.18um光刻工艺制成的120GHz Ft SiGe晶体管是一个很好的例子,现在这一技术己用在许多高速通信领域的重要元件中。 多路复用器和多路分解器 多路复用器和多路分解器是Sonet收发器中的重要构建模块,Sonet OC768产品要求这类构建模块能够处理高至50Gbps的宽带数据信号,以支持用于40Gbps数据传输的前向纠错(FEC)方案。 采用IBM的SiGe 7H