MMDF3N04HDR2G的技术参数

Birdielee 3 0 PDF 2020-12-13 09:12:01

产品型号:MMDF3N04HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.400通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):SO-8/-55~150描述:3A,40V,SO-8,N沟道功率双MOSFET价格/1片(套):¥6.00

推荐下载

NTMD6N02R2G的技术参数

产品型号:NTMD6N02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35最大漏极电流Id(on)(A):6.500通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOIC-

MLD2N06CLT4G的技术参数

产品型号:MLD2N06CLT4G通态电阻RDS(on)(Max)(Ω)(@VGS=5.0V):0.400过压保护:Yes过流保护:Yes过热保护:NoESD:Yes总功耗Pd(W):40封装/温度(

2N6075A的技术参数

产品型号:2N6075A断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA):1

2N6348A的技术参数

产品型号:2N6348A断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):12门极触发电流IGT(Max)(mA):

2N6071A的技术参数

产品型号:2N6071A断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):200反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):200额定正向平均电流IF(Max)(A):4门极触发电流IGT(Max)(mA):1

2N4401的技术参数

产品型号:2N4401类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):0.600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB)

2N5551的技术参数

产品型号:2N5551类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):160集电极最大电流Ic(max)(mA):0.600直流电流增益hFE最小值(dB):80直流电流增益hFE最大值(dB)

2N4403的技术参数

产品型号:2N4403类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):0.600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB)

2N5088的技术参数

产品型号:2N5088类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):0.050直流电流增益hFE最小值(dB):350直流电流增益hFE最大值(dB)

2N6508的技术参数

产品型号:2N6508断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):600反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):600额定正向平均电流IF(Max)(A):25门极触发电流IGT(Max)(mA):3

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论