摘要:对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来,得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。 关键词:功率MOSFETS;多管并联;高频;Q轨迹引言随着电力电子技术的迅速发展,功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是,功率MOSFET容量的有限也成了亟待解决的问题。从理论上讲,功率MOSFET的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现,实际使用中考虑