安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET,进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on)),整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。 新器件为小信号、20伏(V)MOSFET,特别适用于-430毫安(mA)至-950 mA的应用,如功率负载开关、电源转换器电路以及手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等。这些新型的低压MOSFET采用安森美半导体的沟道技术,增大了沟道长度和等效沟道密度。RDS(on)比目前同类封装的MOSFET降低60%,可