NTD32N06LT4G的技术参数

产品型号:NTP22N06源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):22通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-5

产品型号:BCW32LT1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):32集电极最大电流Ic(max)(mA):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大值(d

产品型号:2N7002LT1源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7500最大漏极电流Id(on)(A):0.120通道极性:N沟道封装/温度(°C):SOT-2

产品型号:NB4N855SMR4G输出时钟:LVDS电压(V):3.300传播延时(Typ)ps:470内部门歪曲率(Max)ps:N/ATr/Tf(Max)ps:140封装/温度(°C):Micro

产品型号:1N6267ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6267ARL4G雪崩电压VBR(V):6.800峰值反向工作电压VRWM(V):5.800最大反向漏电流IR(uA):100

产品型号:1N6284ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6284ARL4G雪崩电压VBR(V):36峰值反向工作电压VRWM(V):30.800最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:1N6276ARL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6276ARL4G雪崩电压VBR(V):16峰值反向工作电压VRWM(V):13.600最大反向漏电流IR(uA):5最大反向

产品型号:1N6373RL4GJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6373RL4G雪崩电压VBR(V):6峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA):300最大反向浪涌电流IR

产品型号:MBRD835LT4反向重复峰值电压VRRM(max)(V):35平均整流器前向电流IO(max)(A):8瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.51@8.0A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MJD32CT4G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):3直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):-