X9C102ST1的技术参数

产品型号:MM5Z6V2ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.060齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.330@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最

产品型号:MM5Z2V7ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.670齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.910@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100

产品型号:MM5Z6V8ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160

产品型号:MM5Z3V3ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100

产品型号:MM3Z7V5ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.600@Izt(mA):160齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:MM5Z5V6ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.490齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.730@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最

产品型号:X5045PI位密度:4K结构:×8接口:SPI低电平复位:-高电平复位:√工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1

产品型号:X5323PI位密度:32K结构:×8接口:SPI低电平复位:√高电平复位:-工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/

产品型号:X9221WS工作电压(V):5总阻值(kΩ):10/10端电压(V):-5~5抽头数:64接口方式:I2C电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):20SOIC/0~70描

产品型号:X4165PI位密度:16K结构:×8接口:I2C低电平复位:-高电平复位:√工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/