ESD9X3.3ST5G的技术参数

产品型号:UESD6.0DT5G最大雪崩电压VBR(V):7(Min)反向工作电压VRWM(V):6反向漏电流IR(nA):100箝位电压VC(V):-封装/温度(°C):SOT-723/-55~15

产品型号:UESD5.0DT5G最大雪崩电压VBR(V):6.200反向工作电压VRWM(V):5反向漏电流IR(nA):0.100箝位电压VC(V):-封装/温度(°C):SOT-723/-55~1

产品型号:LM2576TV-5G输出电压(V):5类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):TO-220/-40~125描述:3A,5V输

产品型号:LM2575T-5G输出电压(V):5类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):1开关频率(kHz):52封装/温度(°C):TO-220/-40~125描述:1A,5V输出

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MC33164P-5G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):25低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:MC33064D-5G工作电压(V):1.0~6.5复位门限(V):4.600门限滞后(mV):20低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):390封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:MC33164D-5G工作电压(V):1.0~6.5复位门限(V):4.600门限滞后(mV):20低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):390封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:NCP1117DTAT5G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.200输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):3DPAK/0~125描述:1A输

产品型号:MC34164P-5G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):25低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24