亲水键合工艺虽然不断改进,并且应用到不同的领域,但亲水键合工艺的基本过程是类同的,一般分为三步[2]: (1)将两片表面平整洁净的抛光硅片(氧化或未氧化)先经含OH-的溶液浸泡处理,使硅片的表面吸附足够的OH根离子; (2)在室温下将硅片的抛光面贴合在一起,使两硅片在室温下依靠短程的分子间作用力(如H键)吸合在一起,由于这时硅片之间的作用力很弱,界面间有许多微小的没有键合上的区域; (3)将贴合好的硅片在O2或N2环境下经过数小时的高温退火处理,使界面发生物理化学反应,键合强度急剧增强,界面间没有键合上的区域消失或被填充,增加键合强度而形成整体,键合完成。 在高温退火过程中,键合界面发生了物理