SMF6.5AT1的技术参数

产品型号:ADS1100A1IDBVT工作电压(V):2.7~5.5位数:16速率(kSPS):0.128输入通道:1INL最大值(±LSB):8功耗(mW):0.270接口方式:I2C基准:外部封装

产品型号:MMQA27VT1雪崩电压VBRmin(V):25.700雪崩电压VBRnom(V):27雪崩电压VBRmax(V):28.400IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:MMSZ43T1齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.280齐纳击穿电压Vz典型值(V):2.400齐纳击穿电压Vz最大值(V):2.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最大功

产品型号:BCP56T1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):250

产品型号:ADS1110A1IDBVT工作电压(V):2.7~5.5位数:16速率(kSPS):0.128输入通道:1INL最大值(±LSB):0.010功耗(mW):0.720接口方式:I2C基准:

产品型号:1N5946BG齐纳击穿电压Vz最小值(V):71.250齐纳击穿电压Vz典型值(V):75齐纳击穿电压Vz最大值(V):78.750@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):140最大功率

产品型号:X9511WSIT1工作电压(V):5总阻值(kΩ):10端电压(V):-5~5抽头数:32接口方式:按键电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描

产品型号:1N5927BG齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):31.200齐纳阻抗Zzt(Ω):6.

产品型号:BAV99LT1最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反向

产品型号:BAV70LT1最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反向恢复时间