高性能、低成本、紧凑型的数字采样器件一直是限制自动测试设备(ATE)和数字接收器不断发展的难题,工程师设计应用方案时不得不采用昂贵而且体积大的模拟/射频器件代替。在超过10GHz的高输入模拟带宽和采样率方面,各大生产厂家均面临极大挑战,需要不断采用革新性的技术和处理方法提供高性能的器件,目前,InP技术是能满足要求的最新技术。 InP器件拥有高频截止的优点,它一般用来测量三极管以及模拟器件。总的来说,采用InP器件制造的电路,即使采用1.0μm的工艺,其性能也会超过采用较小工艺尺寸(如0.1 8gm)的传统GaAs和SiGe技术制造的电路(见表1)。对于高速应用场合来说,与GaAs、SiGe