NCS2002SN2T1G的技术参数

产品型号:BCP56T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:BCP68T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):85直流电流增益hFE最大值(dB)

产品型号:BCP56-16T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

产品型号:NTHC5513T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):Chi

产品型号:SL05T1G雪崩电压VBR Min.(V):6雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):8IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA

产品型号:BCP56-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:BCP53-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(

产品型号:MMSZ43T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):40.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):43齐纳击穿电压Vz最大值(V):45.150@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):150最大功

产品型号:MMSZ4684T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/