集成电路的主动成分由diffusion,离子植入和外延层在硅衬底上的生长组成。当这个步骤结束,用一层或多层连线,最终的部分被连接起来形成集成电路。连线包括金属层和由绝缘物质,通常是沉积氧化物,隔离开的多晶硅。同样这些物质也可以被用来制作被动元件,比如电阻和电容。 图2.24说明了一个典型的单层金属互联系统的形成。最后的植入和扩散后,在整个wafer上生长或沉积一层氧化物,某些区域被蚀刻来做出曝光硅的氧化物窗口。这些窗口将成为金属和底下硅的contact,一旦这些contact被打开,一薄层金属薄膜会被沉积并被蚀刻,形成互联图案。 740)this.width=740" border=un