集成npn管的版图设计
1) IC对晶体管的要求 如同分立晶体管一样,集成晶体管必须具有一定的耐压,有良好的频率特性,具有较低的噪声系数,能承受一定的电流容量,具有低的rCS和VCES,这些参数的设计考虑与分立晶体管有一定的类似。但由于集成晶体管的集电极必须从上面引出,这就使rCS显著增大。同时集成晶体管的集电极被pn结包围,又存在着寄生电容和寄生pnp效应,所以在分析集成晶体管特性时,必须考虑这些特性。 (1)击穿电压 V(BR) V(BR)EBO≈6~9V,V(BR)CBO, V(BR)CEO V(BR)CSO> V(BR)CBO,V(BR)CEO (2)频率特性 (
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