CMOS倒相器可采用的两种直流噪声容限,根据两种直流噪声容限定义和CMOS倒相器电路性能分析,CMOS倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限;给出了最大噪容的要求,即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等,因此,要求P管归一化阈电压与N管归一化阈电压相等,且P管与N管的K因子之比为1。对归一化阈电压不等情况,可调整K因子之比使最大高电平噪容与最大低电平噪容相等;对K因子之比不为1的情况,可调整归一化阈电压,以得到最大噪声容限。