MC33201DR2G的技术参数

产品型号:NCP1378DR2G最大工作电压(V):16开关可承受电压(V)/电流(A):(External ref.)控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):100封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:NCP1582DR2G输出电压(V):ADJ类型:降压型输入电压最小值(V):4.500开关电流最大值(A):Ext.N-FET开关频率(kHz):350K封装/温度(°C):SOIC8/-

产品型号:NCP1377DR2G工作电压(V):7.5~16输出电压/电流(V/A):(External ref.)振荡频率(Hz):300K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC

产品型号:NCP1031DR2G输出电压(V):2.5至VIN类型:降压型输入电压最小值(V):10开关电流最大值(A):0.500开关频率(kHz):最高达1M封装/温度(°C):8SO/-40~1

产品型号:NCP5424DR2G工作电压最小值(V):10.800工作电压最大值(V):13.200输出通道:2驱动器配置:同相输出峰值电流(A):1上升时间(ns):20下降时间(ns):15封装/

产品型号:NCP1583DR2G输出电压(V):4.5~26.5类型:升压型输入电压最小值(V):4.500开关电流最大值(A):Ext.N-FET开关频率(kHz):300封装/温度(°C):SOI

产品型号:NCV4949DR2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.140极性:正压差典型值(V):0.400输入电压最大值(V):28封装/温度(°C):SOIC-8/-40~85描述

产品型号:NCP5208DR2G模拟供电输入(V):1.7~5.5模拟电流损耗(空载)(mA):10过流保护电流极限(A):2.900过温保护最高温度:150°C封装/温度(°C):SOIC-8/0~

产品型号:NCV1009DR2G输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):工作电压(V):5~35容限:±0.2%温度系数(ppm/°C):15封装/温度(°C):8SOIC/-40~125描

产品型号:NCP4326DR2G占空比范围:0%~100%内含基准源电压(V):2.50/1.25输出驱动功率MOSFET的电流(mA):580/650封装/温度(°C):SOIC-16/0~125描