MURA215T3G的技术参数

产品型号:MMSZ5V1T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:NCP1117ST33T3G输出电压典型值(V):3.300输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

产品型号:NCP1117ST15T3G输出电压典型值(V):1.500输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:NCV1117ST25T3G输出电压典型值(V):2.500输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.20@0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:DTC143ZM3T5G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):4.7KR2(Ω):4.7K芯片上标识:

产品型号:NCP1011ST65T3G最大工作电压(V):10开关可承受电压(V)/电流(A):700 / 0.25控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):65封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:TPS54372EVM-215支持器件:TPS54372PWP描述:输入3.0V~6.0V,输出可调低到外部基准电压的降压变换评估价格/1片(套):¥135.00

产品型号:MM3Z3V0T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):2.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):3齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):100最大功率P