SMF5.0AT1的技术参数

产品型号:MC68HC908JL3ECP工作电压(V):3.0, 5.0Flash(字节):4KRAM(字节):128EEPROM(字节):-定时器:2×16bit IC,OC,或PWMI/O:23串

产品型号:MC34063AP1输出电压(V):1.25~40类型:升压/降压型输入电压最小值(V):3开关电流最大值(A):1.500开关频率(kHz):100封装/温度(°C):8PDIP/0~70

产品型号:CY2304SXI-1工作频率范围:10~133 MHz工作电压(V):3.300封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:零延迟缓冲,1个基准输入,4个输出,1x, 2x, x/2

产品型号:CY2305SXI-1工作频率范围:10~100/133 MHz工作电压(V):3.300封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:零延迟缓冲,1个基准输入,5个输出,带内部反馈价格

产品型号:CY2302SXI-1工作频率范围:5~133 MHz工作电压(V):3.3, 5封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:零延迟缓冲,1个基准输入,2个输出,1x, 2x, 4x,

产品型号:X9313WSIT1工作电压(V):5总阻值(kΩ):10端电压(V):-5~5抽头数:32接口方式:CS,U/D,INC电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOIC

产品型号:NSB9435T1类型:PNP集电极-发射极电压(V):30集电极电流(max)(mA):3000直流电流增益(min)(dB):125R1(Ω):-R2(Ω):10K芯片上标识:-封装/温

产品型号:MMBZ12VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:MMBZ15VDLT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):14.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):15齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.800@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:X9313UST1工作电压(V):5总阻值(kΩ):50端电压(V):-5~5抽头数:32接口方式:CS,U/D,INC电阻增加方式:线性工作电流(mA):3封装/温度(°C):8SOIC/